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전기재료(4) [포스터발표]

7/10(금)/ 발표시간 : 10:30~11:30
웰리스홀
좌장 : 김동석(한국원자력연구원)

SiC MOSFET에서 발생하는 Single Event Effect 현상의 실험 및 기하구조 기반 Geant4-TCAD 통합 분석 연구

발표 : 송상윤
소속 : 한국에너지공과대학교
송상윤*, 이연주, 강혜민(한국에너지공과대), 김동석(한국원자력연구원), 김홍기, 이재길(파워마 스터반도체)
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